技术编号:7124859
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种晶体管,尤其是通过将栅极电极形成为条状,由此来实现能够耐高圧且栅极容量小的IGBT( Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)。技术背景 在现有技术中,当在具有条状结构的IGBT的上部的射极电极上通过超音波振动的能量进行接合引线的接合时,层间绝缘膜或者其下部的IGBT的栅极电极(主要是核心部分栅极电极)会出现剥落或者损坏。具体来说,在IGBT中,栅极电极以及层间绝缘膜的平面形状在栅极的长方向...
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