技术编号：7125376
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种提高电压的短基区结构的生产工艺。背景技术在可控硅生产过程中，台面槽有正角和负角两种，负角电压较低，正角电压较高，常规可控硅扩散结构使得台面仅存在负角，耐压较低，部分可控硅为形成正角均采用特殊的复杂工艺，成本高，一致性差，成品率低，且仅适用于大电流可控硅(100A以上)，对小电流可控硅无法实施，为解决上述问题，特提供一种新的技术方案。发明内容本发明的目的是提供一种提高电压的短基区结构的生产工艺。 本发明采用的技术方案是 一种提高电压的短基区结...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。