技术编号:7126635
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及到一种功率ニ极管器件。背景技术功率ニ极管器件要能够承受高电压,器件结构中就必须采用先进的终端结构设计。其结构如附图I所示,此终端结构的作用是削弱电极边缘的电场增强尖峰,使电场分布平坦化,避免器件过早击穿。因此,在高功率肖特基器件的设计过程中,在确定了电压阻断层的掺杂浓度和厚度后,肖特基电极周边的终端结构设计将决定器件能否承受所要求的高电压。场限环(guard ring)是功率ニ极管器件最常用的终端结构,它的制备エ艺对于娃基器件已经非常成熟,如...
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