技术编号:7126681
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜磁性体存储装置,特别是涉及设有含磁隧道结(MTJMagnetic Tunnel Junction)的存储单元以及设有用以固定地存储信息的程序元件的薄膜磁性体存储装置。背景技术 作为能以低功耗进行非易失数据存储的存储装置,磁随机存储器件(MRAM器件Magnetic Random Access Memory Device)正在为人们所关注。MRAM器件是一种采用半导体集成电路上形成的多个薄膜磁性体来进行非易失数据存储的、可对各薄膜磁性体进行随机...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。