技术编号:7126748
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及发光二极管外延结构。背景技术目前,常用AIGaInP (铝镓铟磷)系发光二极管的外延结构为在N型GaAs衬底基础上依次生长有N型GaAs (砷化镓)缓冲层、布拉格反射层、N型下限制层、有源层、P型上限制层和P型电流扩展层。单一 P型电流扩展层的结构,其上表面是平面状,因此,当位于中间夹层的有源层发光时,除一部分光线出射于LED器件的外部,由于半导体材料相对于外部空气而言为高折射率材料,当光线的出射角度大于一定临界角时,另有大部分光线会产生全反...
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