技术编号:7127245
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,更具体地,本发明涉及制造具有晶体管和电阻元件的半导体器件的方法。背景技术 在半导体器件中,用于模拟电路等的一种元件是多晶硅电阻元件。通常多晶硅电阻元件由用于形成栅极的多晶硅膜在形成栅极的同时形成。一般地,多晶硅电阻元件的电阻值由掺杂物的离子注入来按需调整。另一方面,在逻辑器件中,一般地,晶体管的栅极和源/漏极区域被硅化。这里,在与晶体管同时形成电阻元件时,在硅化栅极等步骤之前,进行用二氧化硅覆盖电阻元件的硅化阻隔,以防止硅化电阻元件。在硅化阻隔...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。