技术编号:7127609
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池生产,特别涉及。背景技术目前传统单晶硅电池工艺路线主要是通过制绒一扩散一边缘去PN结/磷硅玻璃清洗一PECVD (等离子体气相沉积)镀氮化硅膜一丝网印刷,该工艺路线已经很成熟,但目前已经很难在电池转化效率上有个很大的突破。为此,各研究机构及企业研究各种高效电池,例如SE电池(申请号201010547938. 7)、HIT电池、N型电池(申请号201110271642. I) 等,但目前大多数高效电池在实验设备上需要做很大的改进,其工艺路...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。