技术编号:7128452
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体制程,且特别是有关于一种非挥发性内存(non-volatile memory)的。背景技术 随着单位内存容量的价格不断降低,使用可电除可程序化只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-OnlyMemory,简称EEPROM)作为非挥发性储存组件的应用也愈来愈多。可电除可程序化只读记忆胞中的一个必要部分是为穿隧氧化层,其厚度必须足够薄,以使载子(Carrier)能在高电场下穿隧通过。穿...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。