技术编号:7128830
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种金属镶嵌(metal damascene)的制造方法及其结构,特别是涉及一种应用于半导体组件内联机(interconnect)中的金属镶嵌的制造方法及其结构。背景技术 半导体产品通过金属导线连接至半导体组件,通过施加电压而控制每一半导体组件的作动状态。传统上,以金属镶嵌做为金属导线,请参照图1A至图1D,其为现有技术制作金属镶嵌的剖面结构流程示意图。首先,如图1A所示,于一半导体基础层10上方依序形成有一蚀刻终止层11、一介电层12与一介电材...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。