技术编号:7129368
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及其制造方法,特别涉及下层上的下电极接触结构及其形成方法。背景技术 半导体器件的制造通常包括交替地形成导电层(或导电区)和绝缘层,并使用在绝缘层的预定区中形成的接触电连接被绝缘层电绝缘的上和下导电层。例如,当制造半导体存储器件时,包括源和漏区的栅电极之间的导电区可以电连接到位线或存储节点。要在形成栅电极之后提供该特征,通常形成绝缘层,然后通过光刻蚀刻工艺蚀刻形成露出漏区的接触窗口。然后,可以用导电材料填充接触窗口以形成称做“位线”接触栓...
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