技术编号:7129822
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体硅太阳能电池管式PECVD氮化硅薄膜沉积方法,具体涉及一种采用21舟片石墨舟的管式PECVD镀膜方法。背景技术对于晶体硅太阳能电池管式PECVD (等离子增强化学气相沉积技术)氮化硅薄膜沉积技术,采用氨气和硅烷作为等离子反应气体源,采用石墨舟片做为硅片的承载板和射频电极,常规的石墨舟由19片石墨舟片相间排列组装而成,产量较低,必须通过增加管式PECVD机台数来提高产量(一台捷佳创管式PECVD〈4管 > 售价约500万元),由此使得电池...
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