技术编号:7129840
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有室温铁磁性的C-A1203_S复合薄膜材料,属于半导体磁性纳米材料制备。背景技术随着纳米技术的发展,出现了一个横跨半导体和磁性材料的新型研究方向一自旋电子学。在自旋电子学中,电子是自旋的载体,可利用自旋进行信息的储存和传输。研究结果表明,磁性半导体可实现高效率的自旋注入。但是,由于磁性元素本身在半导体的固溶度不高,往往会有磁性杂质的析出,而且磁性元素的掺杂容易形成第二相,因此不进行任何掺杂的纯半导体的铁磁性研究引起了研究者的兴趣。目前,氧...
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