技术编号:7130592
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明系有关于一种半导体组件,特别是一种嵌入式闪存(embeddedflash memory)存储单元结构的架构,其具有源极端选择晶体管。背景技术 半导体制造工艺的趋势不断朝提高构装密度方向发展,因此组件的设计便不断朝向节省空间的观念演进。致力于缩小各组件的大小使得积集度提高。为了将组件缩小,组件的尺寸已被缩小至次微米或纳米范围。随着半导体的演进,多重内联机(多级单元存储技术)的使用也是集成电路制造技术发展的趋势之一。非易失性存储器的制造亦随着趋势缩小组件...
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