技术编号:7131254
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路制造工艺,具体涉及一种消耗衬底硅更少的硅化物工艺。背景技术 随着集成电路的不断发展,晶体管的最小线宽不断缩小。目前主流工艺0.13μm技术就是指栅极的长度为0.13微米。在线宽不断缩小的同时,为了提高晶体管的性能,源/漏结的深度也在不断减小,在0.13微米工艺下结的深度只有数十纳米。目前的集成电路制造工艺中都使用硅化物工艺技术来减少源漏区域和多晶电极的电阻。无论是0.35/0.25微米技术的钛硅化物(TiSi2)还是0.18/0.13微米...
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