技术编号：7131310
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种光电集成器件，尤其是一种电光调制系统和由其构成的电光开关或光衰减器。背景技术在基于电荷注入的PIN 二极管中，对自由载流子浓度在PIN 二极管本征区的浓度进行调制，会引起半导体材料折射率及吸收系数(折射率虚部)的变化。目前已经有许多基于上述结构的硅基电光调制器和电光开关的文献和专利。这一技术的最大问题就是电荷注入效率太低。特别是当PIN 二极管由正向电压驱动时，P型掺杂区的多子空穴和N型掺杂区的多子电子对本征区的注入受到P型掺杂区和N型掺...
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