技术编号:7131785
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路加工中。背景技术 在深亚微米集成电路加工中,通常都采用STI(shallow trenchisolation浅沟槽隔离)的方法对器件进行隔离。由于加工过程中采用了干法刻蚀技术来加工浅沟槽,在沟槽底部由于干法刻蚀工艺中离子的轰击而产生硅表面损伤,造成大量的缺陷,导致泄漏电流增大,进而减小了STI结构的隔离能力。现有技术在STI干法刻蚀工艺中由于离子轰击而产生在底部的表面损伤,导致泄漏电流增大示意图如图1所示。发明内容本发明解决的技...
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