技术编号:7131931
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及电子器件领域,尤其涉及一种半导体管芯封装结构。背景技术半导体管芯封装例如IPM (Intelligent Power Module,智能功率模块)是一种新型的功率器件,其由高速低功耗的IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)管芯和优化的栅极驱动电路以及快速保护电路组成。即IPM模块不仅把IGBT功率开关器件和驱动电路集成在一起,而且还具有过流、过热保护功能,即使发生负载短路或过热情况...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。