技术编号：7131945
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种LED芯片。背景技术发光二极管(LED)是一种能将电信号转换成光信号的结型电致发光半导体器件，氮化镓(GaN)基发光二极管作为固态光源一经出现便以其高效率、长寿命、节能环保、体积小等优点成为国际半导体和照明领域研发与产业关注的焦点。目前蓝宝石(Al2O3)衬底是氮化镓进行异质外延生长最为常用的衬底之一。由于蓝宝石衬底和氮化镓外延层间存在很大的晶格常数失配和热膨胀系数差异，因此氮化镓外延层中存在很大的应力和较高密度的缺陷...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。