技术编号：7133096
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及多晶硅刻蚀工艺，具体地涉及。背景技术 在传统的半导体多晶硅栅极干法刻蚀工艺中，随着反应的进行，会产生很多副产物。这些副产物在反应室的工艺环境下会发生一系列的分裂聚合反应，生成结构复杂的聚合物。这些聚合物的一部分可以随反应室的气流被分子泵和干泵排出反应室，另一部分会附着在反应室内壁上。附着在内壁上的聚合物膜会随着工艺的继续而不断累积，这层薄膜稳定性不强，随时可能从内壁上脱落下来而污染硅片，所以需要对反应室内裸露于工艺环境中的零件进行定期清洗。一般多...
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