技术编号:7133099
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅栅刻蚀方法,具体来说,涉及一种深亚微米硅栅刻蚀的方法。背景技术 集成电路通常把0.8-0.35μm称为亚微米,0.25μm及其以下称为深亚微米,0.05μm及其以下称为纳米级。深亚微米制造的关键技术主要包括光刻技术、等离子体刻蚀技术、离子注入技术、铜互连技术等。众所周知,气态等离子技术广泛应用于集成电路制造领域,特别是在栅极等薄膜的刻蚀、介质材料的刻蚀、光阻材料的去除等领域得到了成功的应用。但是,尽管等离子技术为半导体制造业所广泛接受,该技...
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