技术编号：7133317
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体集成电路器件领域，特别是涉及一种低漏电的低压(低于外延层材料的最高隧道击穿电压)二极管芯片。背景技术在半导体技术中，二极管是一个重要的器件，一般的二极管由一个PN结构成，二极管正向导通和反向击穿的特性被广泛的应用于半导体领域。在对PN结二极管施加反向电压时，当反向电压增加到一定数值VB时，通过PN结的反向电流就会急剧上升，这种现象称为PN结的反向击穿，VB即为击穿电压。就产生的机理而言，PN结击穿可以分为雪崩击穿和隧道击穿(又称齐纳击穿...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。