技术编号:7133780
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置钝化(passivating)方法,其功能是用于修补半导体装置在前段工艺中所产生的缺陷。背景技术 半导体装置一般是通过多个工艺步骤而完成,这些步骤可能包括溅射沉积、光刻、湿法蚀刻、等离子体蚀刻、化学汽相沉积、等离子体辅助化学汽相沉积、离子注入以及活化与驱动注入离子的退火(annealing)步骤。这些工艺步骤中有的会造成半导体装置中的缺陷。例如等离子体蚀刻工艺会产生硅悬空键(silicon dangling bond),而此硅悬空键...
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