技术编号:7134959
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明系有关于一种半导体装置之浅沟槽前置制作工艺,更具体地涉及一种可避免条纹(striation)现象的蚀刻方法。背景技术 在例如DRAM等半导体装置的制作工艺中,浅沟槽之形成是相当重要的一环。如图1所示,在DRAM的主动区蚀刻制作工艺中,基底10上形成一氧化层12,在该氧化层12上形成一氮化层14,再于该氮化层14上形成一硼硅玻璃(BSG)层16。接下来,形成光致抗蚀剂18,如图2所示。依照一般掩模蚀刻程序,经过显影、成像界以定出之后蚀刻开口的位置,将硼...
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