技术编号：7135245
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制程，特别是涉及一种。背景技术 在自行对准接触窗(Self-Aligned Contact)的制程中，随着深宽比(Aspect Ration)的增加，要使得制程保有较佳的精确性(Accurate)可说是愈来愈困难。所谓深宽比是为在蚀刻制程中，被蚀刻的膜层(或是多层膜层)的总深度与蚀刻之后所形成的结构(例如接触窗开口)的宽度的比值。因此，藉由降低所欲形成的结构的宽度，可以增加组件密度，进而使得深宽比也随之提升。此外，许多现有习知的自行对准...
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