技术编号:7136176
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及采用非单晶半导体的光生伏打元件和采用等离子CVD(化学汽相淀积)方法连续形成光生伏打元件的非单晶半导体层的方法及制造设备。特别是涉及采用滚动设备大量生产如太阳电池的光生伏打元件的方法和设备。背景技术 有许多利用非晶半导体改善光生伏打元件的光电转换效率的方法,例如,需要改善P型半导体层,I型半导体层,n型半导体层,透明电极,背面电极等特性,利用pin型半导体结构成光生伏打元件。特别是,要求诸如p型半导体层或者n型半导体层那样的所谓掺杂层,首先,要求...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。