技术编号：7136463
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，特别涉及可以用来处理反应室中的碳残留物与硅残留物的。背景技术 在现今半导体制程中，常使用微影蚀刻制程来形成开口或是沟渠。举例来说，若欲于基底中形成深沟渠时，则是先于基底上依序形成垫氧化硅层、多晶硅罩幕材料层与图案化光阻层。然后，以图案化光阻层为蚀刻罩幕，进行电浆蚀刻制程，以形成图案化的多晶硅罩幕层。接着，在移除图案化的光阻层后，以此多晶硅罩幕层为蚀刻罩幕，进行另一次的电浆蚀刻制程，于基底中形成深沟渠。然而，在电浆蚀刻的过程中，电浆气体离子除...
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