技术编号：7136484
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶硅晶圆生产方法，特别涉及一种通过碱腐蚀的方法改善晶圆硅片表面外观的加工工艺。背景技术半导体单晶娃晶圆娃片生广线的良率是降低制造成本的关键，往往良率提闻一个百分点，毛利率就会提高两个百分点，因而成为技术研发重点课题。而硅片表面外观，尤其是腐蚀片正反面及抛光片背表面上存在花片、沾污通常判为不合格品进行报废，从而影响了生产线的良率。这部分不良品产生的主要原因有研磨后的硅片清洗工艺不佳，造成研磨粉及有机物的残留，造成酸腐蚀后显现的沾污；背损伤后的硅片...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。