技术编号：7138765
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子领域，涉及一种衬底结构，特别是涉及一种。背景技术随着半导体器件尺寸的缩小，传统的体硅材料正接近其物理极限，应变硅、Ge以及II1- V化合物材料由于其高迁移率而受到广泛关注。Ge具有高的电子迁移率和空穴迁移率，但受限于器件工艺因素(Ge的η型掺杂和η型欧姆接触等)，Ge的NMOS性能一直不理想，所以Ge —般用于制造PM0S。诸如GaAS之类的II1-V族半导体材料具有高电子迁移率，可以制造高性能的NMOS器件，并且II1-V族化合物半导体...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。