技术编号:7138975
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储器件,更具体地涉及一种使用自对准接触(self align contact;SAC)来制造一接触垫的方法。背景技术 在半导体器件中,自对准接触(self align contact;SAC)垫的作用是将衬底的导电区域(如源极/漏极结)与底部电极或位元线电连接。具体地,因为半导体器件开始要求细于100nm的极细线宽,故引入了采用氟化氩(ArF)炉光源的光刻处理。图1是扫描电子显微镜(SEM)照片,其说明了由氟化氩光刻处理形成的半导体器...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。