技术编号:7139145
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于基本电气元件领域,涉及半导体器件的制备,特别涉及一种超级结M0SFET、该超级结MOSFET的结构。背景技术目前,高压功率M0SFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属氧化物场效应晶体管)被广泛应用于大功率电路中。在开态情况下,它应具有较低的导通电阻;在关态情况下,它应具有较高的击穿电压。对于传统的功率VDM0SFET,一般通过增加外延厚度和降低外延掺杂浓度的方式来提高击...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。