技术编号：7139255
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及局部存在有单晶氮化镓的基底，在其单晶硅基底上包括局部生长有单晶氮化镓的区域，以及所述基底的制造方法。背景技术氮化镓(GaN)已经一般用作蓝光发光元件如LED(发光二极管)和激光二极管的材料。通常，兰宝石主要用作基底，而氮化镓通过MOCVD方法生长在其上面。通常，电子器件如LSI形成在硅基底上。信号的输入/输出由一些电极进行，这些电极位于管壳的周面上或以阵列形式位于管壳的背面上。发明内容当前，由电子器件处理的数据量和因此需要的处理能力一直在增加，对...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。