技术编号:7139255
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及局部存在有单晶氮化镓的基底,在其单晶硅基底上包括局部生长有单晶氮化镓的区域,以及所述基底的制造方法。背景技术氮化镓(GaN)已经一般用作蓝光发光元件如LED(发光二极管)和激光二极管的材料。通常,兰宝石主要用作基底,而氮化镓通过MOCVD方法生长在其上面。通常,电子器件如LSI形成在硅基底上。信号的输入/输出由一些电极进行,这些电极位于管壳的周面上或以阵列形式位于管壳的背面上。发明内容当前,由电子器件处理的数据量和因此需要的处理能力一直在增加,对...
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