技术编号:7139545
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性半导体存储装置以及使用于其中的存储单元,更具体地讲涉及存储单元具备利用电阻的变化可以存储信息的可变电阻元件的非易失性半导体存储装置。背景技术 目前,作为将利用电阻的变化可存储信息的可变电阻元件作为存储元件使用的非易失性存储器,存在MRAM(Magnetic RAM)或OUM(Ovonic Unified Memory)、RRAM(Resistance control nonvolatile RandomAccess Memory)等。这些...
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