技术编号:7139546
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本案系有关于一种包括具有一存储电容器与一选择性晶体管的记忆胞元的积体半导体内存,该选择性晶体管系在一用半导体材料所制成的网区上形成且具有一第一源极/漏极区域、一第二源极/漏极区域与至少一闸极层。背景技术 积体半导体内存其具有一包含有多重记忆胞元的记忆胞元数组,用以储存数字信息,以及一逻辑区域以驱动该记忆胞元与操作该半导体内存。存储电容器系经由一位于一字符线与一位线间交叉点上的选择性晶体管而被驱动,在存储电容器中的储存则因该晶体管系处于电的开启或是关闭的状态...
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