技术编号：7139858
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种超级结MOSFET元器件。背景技术功率半导体器件是不断发展的功率-电子系统的内在驱动力，尤其是在节约能源、动态控制、噪音减少等方面。功率半导体器件主要应用于对能源与负载之间的能量进行控制，并且应当拥有精度高、速度快和功耗低的特点。在功率电路中，功率半导体器件(特别是M0SFET，简称为M0S)主要用作开关器件，由于它 是多子器件，所以其开关功耗相对较小。而它的通态功耗则比较高，要降低通态功耗，就必须减小导通电阻Rdsm。因此，功率半导体器...
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