技术编号:7139921
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开一种使用一光致抗蚀剂聚合物去除剂合成物来制造半导体器件的方法。在制造半导体器件期间,该光致抗蚀剂聚合物去除剂合成物有效地去除在光致抗蚀剂图案形成工艺中由蚀刻或灰化(ashing)子工艺所产生的光致抗蚀剂残余物。背景技术 在现有半导体器件的制造工艺中,会在一导电层上形成一光致抗蚀剂图案,该导电层已被形成在一半导体衬底上。使用该光致抗蚀剂图案作为一掩模,就能够蚀刻该导电层中未被该光致抗蚀剂图案覆盖的部分,而得以形成一导电层图案。接着重复该光刻工艺,以...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。