技术编号:7140737
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件的制作方法,尤其涉及一种铁电随机存取存储器(FeRAM)的制作方法。背景技术 如何利用铁电层构成铁电体电容来开发一种大规模半导体内存器件,克服动态随机存取存储器(DRAM)固有的刷新瓶颈,一直是人们研究的热点。这种使用铁电层制作的FeRAM是一种非易失性存储器。这就是说FeRAM具有一种固有的优势,断电后也能读取其中的数据。同时,FeRAM由于其响应速度和DRAM速度相当,而作为下一代存储器的候选,成为人们关注的焦点。铁电电容器的上...
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