技术编号：7141946
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于半导体制作的方法，特别是关于一种改进硅化金属制作的方法。背景技术由于半导体制作尺寸的缩小，则寄生电阻如接触电阻以及片电阻会增加。而为了减少寄生电阻，硅化金属(Silicide)制作是广受注意以及欢迎的。在各种不同的硅化金属中，二硅化钴(CoSi2)以及二硅化钛(TiSi2)是最被受重视以及学习的。它们可以被应用到自行对准硅化金属制作(SALICIDE)中以及在不同硅化金属中以显示出其最低的电阻率。且对于改进热稳定，以及磊晶地成长硅化金属都是被需...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。