技术编号:7141994
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术,具体涉及一种。背景技术对于压敏传感器件(MEMS)和大功率器件(POWER M0S)等半导体器件的制造,深沟槽刻蚀(DSIE)工艺得到广泛应用。目前常规的深沟槽刻蚀工艺使用光刻胶(PhotoResist, PR)做掩蔽层,利用光刻工艺按设计好的图案版图使得光刻胶层图形化,图形化后的光刻胶层上的刻蚀图案露出需要进行刻蚀的部分。深沟槽刻蚀工艺中,刻蚀深度通常大于300 微米,而刻蚀关键尺寸(Critical Dimension,⑶),...
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