技术编号:7142311
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及大功率MOS晶体管制造技术,特别是涉及一种深沟槽结构大功率MOS晶体管的多晶硅栅结构。本发明还涉及采用该结构的大功率MOS晶体管制造方法。背景技术 深沟槽结构大功率MOS晶体管已经成为大功率MOS晶体管发展的趋势,现在大多数高性能大功率MOS晶体管都采用这种结构。现有的深沟槽结构大功率MOS晶体管通常采用多晶硅栅,其结构如图1所示。它的制造工艺流程如图3所示,其步骤如下首先进行LOCOS成长;成长后,去除作为mask的SI3N4和SiO2;进行深...
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