技术编号:7142315
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种,其特别是关于一种于掩膜只读存储器(MaskROM)工艺中、测量与字符线(World Line,WL)有关之电容的结构与方法。背景技术 在仿真记忆胞存取时间的时候、特别是针对高速掩膜只读存储器时,与字符线有关之电容是一项很重要的参数。举例来说,在掩膜只读存储器工艺中,位于多晶硅字符线(polysiliconwordline)下方的氧化层会有不同的厚度。又因为高剂量的埋入N型掺质(BN implant)导致氧化情形增加,因此埋入N型掺质接合...
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