技术编号:7142324
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种电容器的结构及其制造方法。更明确地说,本发明为有关于一种堆叠式多层金属电容的结构及其制造方法。背景技术 长久以来,增加金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的单位面积的电容值密度,一直是制造工程师所追求的目标,以符合微小化的要求。完成此目标的一方法为开发高介电常数(k)的材料,例如Ta2O5以加入该MIM电容器中。然而,此方法需要额外的沉积工具、避免交叉污染的绝缘制程步骤以及新材料的整合制程的时间及人员上的投资。再者,该高介电常数材料的引入,...
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