技术编号:7143903
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体结构,特别是涉及一种可加强结构强度的半导体结构。背景技术如图1所示,现有习知的半导体结构200包含有硅基板210、凸块下金属层220及焊球230,该硅基板210具有铝垫211及保护层212,该凸块下金属层220电性连接该铝垫211且该焊球230形成于该凸块下金属层220上。当该半导体结构200进行推力测试时,由于该焊球230、该凸块下金属层220与该铝垫211的材质不同,因此会存在明显的结合界面而形成结构强度最脆弱之处,导致该凸块下...
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