技术编号：7144251
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电力半导体器件生产中的一种P型杂质源的制备及掺杂工艺。背景技术目前，在晶闸管生产工艺中的一次P型掺杂工艺，主要有闭管铝镓扩散和硼铝涂层扩散，闭管铝镓扩散工艺，真空封管难度大，工艺复杂，扩散质量受硅片数量和石英管质量的影响，扩散参数不易调整，参数分散性大，重复性较差，周期长，成本高；硼铝涂层扩散工艺，杂质浓度分布不理想，因硼杂质分布较陡，造成电参数分散性大，产品合格率和优品率较低等。因上述两种扩散工艺存在不足，直接影响电力半导体器件质量及生产发展，...
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