技术编号:7144406
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体工艺制造领域,特别涉及一种双极电路与栅自对准结构的P沟JEFT管兼容工艺。背景技术双极与P沟自对准JFET管的非自对准栅形成的栅源/漏交叠寄生电容大,源端电阻和漂移区长度都偏大,器件取决于沟道区及漂移区的图形尺寸与掺杂浓度。非自对准栅漂移区的一端与栅极会出现一些工艺偏差(诸如光刻CD、重叠、刻蚀CD等),均可影响器件的沟道长度,主要受光刻过程及设备影响较大发明内容 本发明的目的就是为解决现有的非自对准栅形成的栅源/漏交叠寄生电容大、制造工艺...
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