技术编号：7144512
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路领域，特别涉及。背景技术根据国际半导体技术发展规划蓝图(ITRS)预测，45nm及以下节点互补金属氧化物半导体(CMOS)器件中等效氧化层厚度必须小于O. 65nm，用高k栅介质和金属取代SiON 栅介质和多晶硅栅电极是适应这一要求的新技术。金属栅极相对于多晶硅栅具有很大的优势，例如可以消除多晶硅栅耗尽效应，P型场效应管的硼(B)的穿透效应，同时还具有非常低的电阻，并能抑制远程电荷散射。因此，为适应未来集成电路工艺的发展需求，国内外...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。