技术编号：7144844
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及一种半导体器件、存储系统及其制造方法，更具体而言，涉及一种。背景技术非易失性存储器件即使在没有电源的情况下也可以保留数据。存储器单元以单层制造在硅衬底之上的二维存储器件在增加其集成度上已经达到物理极限。因此，已经提出了将存储器单元在硅衬底 之上沿垂直方向层叠的三维非易失性存储器件。在下文中，参照图1来描述三维(3D)非易失性存储器件的结构。图1是说明现有的3D非易失性存储器件的结构的立体图。如图1所示，现有的3D非易失性存储器件可以包括沟...
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