技术编号:7145037
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集记忆电阻与隧穿磁电阻于一体的多功能自旋记忆电阻器件及其制备方法,属于半导体材料与器件领域。背景技术阻变存储器作为一种新型的非挥发性存储器,是以薄膜材料的电阻在高阻态(HRS)和低阻态(LRS)之间实现可逆转换为基本原理并作为记忆的方式。阻变存储器(RRAM)因为其具有制备简单、存储密度高、操作电压低、读写速度快、保持时间长、尺寸小、非破坏性读取、低功耗等优点被广泛研究,从而有成为下一代通用存储器的潜力。隧穿磁电阻效应以饱和磁场低、磁阻效应大等优...
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