技术编号:7145147
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在半导体晶片等被处理体上实施成膜处理等规定的处理的。背景技术 目前,随着半导体集成电路的微细化、高集成化,进行着形成于基板等基板表面的布线沟等的图形微细化。因此,在形成薄膜作为布线金属的衬底膜等情况下,需要在微细的布线沟内以均匀、良好的敷层方式形成非常薄的膜。根据这样的需要,近年来,作为能够以良好的膜质量形成原子层等级的膜的方法,开发了被称为原子层堆积法(Atomic Layer DepositionALD)的方法。ALD例如由以下工序构成。在以...
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