技术编号:7145231
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及半导体器件结构领域。更确切的说,本发明是关于制备一种带有特定器件性能参数的集成MOSFET器件的器件结构,及其有关的制备方法。背景技术如今的半导体器件,例如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)通常是特征尺寸很小的高密度器件。例如,现在所使用的一些MOSFET的壁对壁间距尺寸约为1-2微米。随着器件尺寸的减小,器件中随之缩小的接触电极以及栅极氧化物的厚度,都导致开尔文接触阻抗令人反感地大幅地增加,击穿电压却降低。这个问题在经常传导高电流...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。