干法刻蚀均匀性优化装置及方法技术资料下载

技术编号:7145297

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本发明涉及刻蚀,尤其涉及。背景技术刻蚀是半导体制造工艺、微电子IC(Integrate ci rcuit,集成电路)制造工艺中的一个重要步骤,是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺,包括干法刻蚀和湿法刻蚀。其中,干法刻蚀是用气体辉光放电产生等离子体进行薄膜移除的技术,图I示出了现有的干法刻蚀装置的剖面结构图,主要包括反应室12,设置于反应室12中的上电极板13和下电极板15。上电极板13上具有通气孔17,用于向反应室12内通入气体。下电极板 15上设有放...
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